Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wyb. Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław
NIP 896-000-58-51
budynek A-1, pok. 234
tel. 71 320 45 53 (sekretariat)
fax. 71 328 36 96
wppt.sekretariat@pwr.edu.pl
dr hab. inż. Marcin Motyka
Email: marcin.motyka@pwr.edu.pl
Jednostka: Wydział Podstawowych Problemów Techniki » Katedra Fizyki Doświadczalnej
Wybrzeże Wyspiańskiego 27, Wrocław
bud. A-1, pok. 259
tel. 71 320 2986
Konsultacje
- czwartek 11:00 - 13:00
- piątek 11:00 - 13:00
Zainteresowania naukowe
- Półprzewodnikowe studnie i supersieci kwantowe; lasery i systemy detekcji na zakres średniej podczerwieni; spektroskopia modulacyjna; spektroskopia fourierowska w podczerwieni.
Najważniejsze publikacje z ostatnich lat
2019
- M. Kurka, M. Dyksik, W. Golletz, M. Środa, V. Romanov,K. Moiseev, and M. Motyka, Features of carrier confinement in InAsSb(P) alloys and quantum wells for room-temperature operating mid-infrared emitters, Applied Physics Express 12, 115504 (2019)
- M. Kurka, M. Dyksik, S. Suomalainen, E. Koivusalo, M. Guina, M. Motyka, GaInAsSb/AlGa(In)AsSb type I quantum wells emitting in 3?µm range for application in superluminescent diodes, Optical Materials 91, 274 (2019)
2016
- Motyka M., Dyksik M., Ryczko K., Sęk G., Misiewicz J., Weih R., Dallner M., Kamp M. and Höfling S., Type II QWs with tensile strained GaAsSb layers for interband cascade lasers, Applied Physics Letters 108, 101905 (2016).
2015
- Motyka M., Sęk G., Ryczko K., Dyksik M., Weih R., Patriarche G., Misiewicz J., Höfling S. and Kamp M., Interface intermixing in type II InAs/GaInAsSb quantum wells designed for active regions of mid-infrared emitting interband cascade lasers, Nanoscale Research Letters 10:471 (2015).
2014
- Motyka M., Dyksik M., Janiak F., Moiseev K.D., Misiewicz J., The spin–orbit splitting band in InGaAsSb alloys lattice-matched to InAs, Journal of Physics D: Applied Physics 47, 285102 (2014).
2012
- Motyka M., Janiak F., Sęk G., Misiewicz J., Moiseev K.D., Temperature dependence of the energy gap and spin-orbit splitting in a narrow-gap InGaAsSb solid solution, Applied Physics Letters 100, 211906 (2012).