Email: grzegorz.zatryb@pwr.edu.pl

Jednostka: Wydział Podstawowych Problemów Techniki » Katedra Fizyki Doświadczalnej

Wybrzeże Wyspiańskiego 27, Wrocław
bud. A-1, pok. 37/6
tel. 71 320 2358

Konsultacje

• czwartek 11.00-13.00
• piątek 11.00-13.00

---

Zainteresowania naukowe

• Dynamika drgań półprzewodnikowych struktur niskowymiarowych; zjawiska lokalizacji przestrzennej fononów akustycznych i optycznych; zjawiska relaksacji w układach nieuporządkowanych; spektroskopia optyczna (np. rozpraszanie Ramana, fotoluminescencja rozdzielona w czasie).

---

Najważniejsze publikacje z ostatnich lat

2015

• Zatryb G., Klak M.M., Wojcik J., Misiewicz J., Mascher P., Podhorodecki A., Effect of hydrogen passivation on the photoluminescence of Tb ions in silicon rich silicon oxide films, Journal of Applied Physics 118, 243104 (2015).
• Zatryb G., Wilson  P.R.J., Wojcik J., Misiewicz J., Mascher P., Podhorodecki A., Raman scattering from confined acoustic phonons of silicon nanocrystals in silicon oxide matrix, Physical Review B 91, 235444 (2015).

2014

• Zatryb G., Misiewicz J., Wilson P.R.J., Wojcik J., Mascher P., Podhorodecki A., Stress transition from compressive to tensile for silicon nanocrystals embedded in amorphous silica matrix, Thin Solid Films 571 (2014) 18-22.

2013

• Zatryb G., Podhorodecki A., Misiewicz J., Cardin J., Gourbilleau F., Correlation between matrix structural order and compressive stress exerted on silicon nanocrystals embedded in silicon-rich silicon oxide, Nanoscale Research Letters 8, 40 (2013).

2011

• Zatryb G., Podhorodecki A., Hao X.J., Misiewicz J., Shen Y.S., Green M.A., Correlation between stress and carrier nonradiative recombination for silicon nanocrystals in an oxide matrix, Nanotechnology 22 (2011) 335703.
  

Publikacje w bazie DONA