Email: joanna.jadczak@pwr.edu.pl

Jednostka: Wydział Podstawowych Problemów Techniki » Katedra Fizyki Doświadczalnej

Wybrzeże Wyspiańskiego 27, Wrocław
bud. A-1, pok. 222
tel. 71 320 2257

Konsultacje

• poniedziałek 14.00-16.00
• czwartek 10.00-12.00

---

Zainteresowania naukowe

• Własności fizyczne półprzewodnikowych struktur niskowymiarowych; w szczególności dwuwymiarowych struktur van der Waalsa (MoS2-hBN, MoS2/WS2); kompleksy ekscytonowe w układach dwuwymiarowych (dwu-chalkogenki metali przejściowych, studnie kwantowe GaAs/AlxGa1-xAs), nanodruty GaAs/AlAs); optyczna spektroskopia struktur niskowymiarowych.

---

Najważniejsze publikacje z ostatnich lat

2017

• Jadczak J., Kutrowska-Girzycka J., Kapuściński P., Huang Y.S., Wójs A., Bryja L., Probing of free and localized excitons and trions in atomically thin WSe2, WS2, MoSe2 and MoS2 in photoluminescence and reflectivity experiments, Nanotechnology, Volume 28, Article number: 395702 (2017).
• Jadczak J., Delgado A., Bryja L., Huang Y.S., Hawrylak P., Robust high-temperature trion emission in monolayers of Mo(SySe1-y)2 alloys, Phys. Rev. B, Volume 95, Article number: 195427 (2017).

2014

• Jadczak J., Dumcenco D.O., Lin Y.C., Suenaga K., Wu P.H., Hsu H.P, Tiong K.K., Composition dependent lattice dynamics in MoSxSe2-x alloys, J. Appl. Phys. 116, 193505 (2014).
• Jadczak J., Plochocka P., Mitioglu A., Breslavetz I., Royo M., Bertoni A., Goldoni G., Smolenski T., Kossacki P., Kretinin A., Shtrikman H. and Maude D.K., Unintentional high-density p-type modulation doping of a GaAs/AlAs core–multishell nanowire, Nano Lett. 14, 2807 (2014).

Publikacje w bazie DONA