Email: marta.gladysiewicz-kudrawiec@pwr.edu.pl

Jednostka: Wydział Podstawowych Problemów Techniki » Katedra Fizyki Doświadczalnej

Wybrzeże Wyspiańskiego 27, Wrocław
bud. A-1, pok. 229
tel. 71 320 4280

Konsultacje

• poniedziałek 12.00-14.00
• wrorek 12.00-13.00
• środa 16.00-17.00

---

Zainteresowania naukowe

• Obliczenia numeryczne; półprzewodniki; obliczenia struktury pasmowej; obliczenia wzmocnienia optycznego; azotki.

---

Najważniejsze publikacje z ostatnich lat

2016

• Gladysiewicz M., Kudrawiec R., Wartak M.S., Electronic band structure and material gain of III-V-Bi quantum wells grown on GaSb substrate and dedicated for mid-infrared spectral range, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Volume: 119, Issue: 7, Article Number: 075701, Published: FEB 21 2016
• Maczko H.S., Kudrawiec R., Gladysiewicz M., Material gain engineering in GeSn/Ge quantum wells integrated with an Si platform, SCIENTIFIC REPORTS, Volume: 6, Article Number: 34082, Published: SEP 30 2016

2015

• Gladysiewicz M., Kudrawiec, R., Wartak M.S., 8-band and 14-band kp modeling of electronic band structure and material gain in Ga(In) AsBi quantum wells grown on GaAs and InP substrates, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Volume: 118, Issue: 5, Article Number: 055702, Published: AUG 7 2015
• Gladysiewicz M., Kudrawiec R., Wartak M.S., Electronic Band Structure and Material Gain of Dilute Nitride Quantum Wells Grown on InP Substrate, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, Volume: 51, Issue: 5, Published: MAY 2015

2014

• Gladysiewicz M., Kudrawiec R., Wartak M.S., Material Gain in Ga(0.66)In(0.34)NyAs(1-y), GaNyAs0.69-ySb0.31, and GaNyP0.46Sb0.54-y Quantum Wells Grown on GaAs Substrates: Comparative Theoretical Studies, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, Volume: 50, Issue: 12, Pages: 996-1005, Published: DEC 2014
  

Publikacje w bazie DONA