Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wyb. Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław
NIP 896-000-58-51
budynek A-1, pok. 234
tel. 71 320 45 53 (sekretariat)
fax. 71 328 36 96
wppt.sekretariat@pwr.edu.pl
dr inż. Eunika Zielony
Email: eunika.zielony@pwr.edu.pl
Jednostka: Wydział Podstawowych Problemów Techniki » Katedra Fizyki Doświadczalnej
Wybrzeże Wyspiańskiego 27, Wrocław
bud. A-1, pok. 231 A
tel. 71 320 2642
Konsultacje
- poniedziałek 12.00-14.00
- środa 10.00-12.00
Zainteresowania naukowe:
- Fizyka niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych; Fizyka Półprzewodników; Fotowoltaika; Optoelektronika; Przyrządy półprzewodnikowe na bazie związków z grupy II-VI i III-V (ogniwa słoneczne, diody LED, detektory promieniowania e-m); Niestacjonarna spektroskopia głębokich poziomów pułapkowych (DLTS) w strukturach złączowych; Spektroskopia Ramana; Mikroskopia sił atomowych (AFM); Pomiary elektryczne (I-V, C-V, EQE); Fotoluminescencja.
Więcej informacji:
Najważniejsze publikacje z ostatnich lat
2025
- Zielony E., Szalewska G., Pietrzyk M.A., Probing n-ZnMgO/p-Si nanowire junctions: insights into composition, strain, and defects via Raman spectroscopy and electrical measurements, J. Alloys Compd. 1010 (2025) 177851.
2024
- Szymon R., Sobańska M., Żytkiewicz Z.R., Gierałtowska S., Zielony E., Spectral reflectance of core–shell GaN-(Al/Hf)Ox nanowires within adapted effective medium approximation, Opt. Lett. 49 (2024) 7082-085.
- Szymon R., Zielony E., Sobańska M., Stachurski T., Reszka A., Wierzbicka A., Gierałtowska S., Żytkiewicz Z.R., Enhancing GaN nanowires performance through partial coverage with oxide shells, Small 20 (2024) 2401139.
- Perlikowski I., Zielony E., Lysak A., Jakieła R., Przeździecka E., Manifestation of Eu dopants in Raman spectra and doping concentration profiles of {ZnCdO/ZnO} superlattices, Cryst. Growth Des. 24 (2024) 6691-6700.
2023
- Szymon R., Zielony E., Lysak A., Pietrzyk M.A., Influence of the type of interlayer on current transport mechanisms and defects in n-ZnO/ZnCdO/p-Si and n-ZnCdO/ZnO/p-Si heterojunctions grown by molecular beam epitaxy, J. Alloys Compd. 951 (2023) 169859.
2022
- Zielony E., Szymon R., Wierzbicka A., Reszka A., Sobanska M., Pervez W., Żytkiewicz Z.R., Strain and lattice vibration mechanisms in GaN-AlxGa1-xN nanowire structures on Si substrate, Appl. Surf. Sci. 588 (2022) 152901.
2021
- Zielony E., Wierzbicka A., Szymon R., Pietrzyk M.A., Płaczek-Popko E., Investigation of micro-strain in ZnO/(Cd,Zn)O multiple quantum well nanowires grown on Si by MBE, Appl. Surf. Sci. 538 (2021) 148061.
- Zielony E. and Pietrzyk M.A., Diode characteristics of ZnO/ZnMgO nanowire p-n junctions grown on Si by molecular beam epitaxy, Mater. Sci. Eng. B 268 (2021) 115148.