Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wyb. Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław
NIP 896-000-58-51
budynek A-1, pok. 234
tel. 71 320 45 53 (sekretariat)
fax. 71 328 36 96
wppt.sekretariat@pwr.edu.pl
dr inż. Jan Kopaczek
Email: jan.kopaczek@pwr.edu.pl
Jednostka: Wydział Podstawowych Problemów Techniki » Katedra Inżynierii Materiałów Półprzewodnikowych
Wybrzeże Wyspiańskiego 27, Wrocław
bud. A-1, pok. 37/5 lub 411 E
tel. 71 320 4722
Konsultacje
- czwartek 15.00-17.00
- piątek 13.00-15.00
Zainteresowania naukowe
- Spektroskopia optyczna; kryształy van der Waalsa; związki III-V rozrzedzane bizmutem.
Najważniejsze publikacje z ostatnich lat
2017
- Dybała F., Kopaczek J., Gladysiewicz M., Pavelescu E.M., Romanitan C., Ligor O., Arnoult A., Fontaine C., Kudrawiec R., Electromodulation spectroscopy of heavy-hole, light-hole, and spin-orbit transitions in GaAsBi layers at hydrostatic pressure, Appl. Phys. Lett. 111, 192104 (2017) https://doi.org/10.1063/1.5002622
2016
- Kopaczek J., Polak M.P., Scharoch P., Wu K., Chen B., Tongay S., Kudrawiec R., Direct optical transitions at K- and H-point of Brillouin zone in bulk MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2 crystals and semiconductor to metal transitions, Applied Physics Letters 119 (23), 235705 (2016) http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/119/23/10.1063/1.4954157
- Dybała F., Polak M.P., Kopaczek J., Scharoch P, Wu K., Tongay S., Kudrawiec R., Pressure coefficients for direct optical transitions in MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2 crystals and semiconductor to metal transitions, Scientific Reports 6, 26663(2016) http://www.nature.com/articles/srep26663
2015
- Kopaczek J., Linhart W.M., Baranowski M., Richards R.D., Bastiman F., David J.P.R., Kudrawiec R., Optical properties of GaAsBi/GaAs quantum wells: Photoreflectance, photoluminescence and time-resolved photoluminescence study, Semicond. Sci. Technol. 30, 094005 (2015) http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/9/094005
2014
- Kudrawiec R., Kopaczek J., Polak M.P., Scharoch P., Gladysiewicz M., Misiewicz J., Richards R., Bastiman F., David J., Experimental and theoretical studies of band gap alignment in GaAs1-xBix/GaAs quantum wells, Appl. Phys. 116, 233508 (2014) http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/116/23/10.1063/1.4904740