Email: pawel.scharoch@pwr.edu.pl

Jednostka: Wydział Podstawowych Problemów Techniki » Katedra Inżynierii Materiałów Półprzewodnikowych

Wybrzeże Wyspiańskiego 27, Wrocław
bud. A-1, pok. 231 B
tel. 71 320 2390

Konsultacje

• poniedziałek 13.00-15.00
• czwartek 13.00-15.00

---

Zainteresowania naukowe

• Właściwości strukturalne i elektronowe układów atomowych - obliczenia z zasad pierwszych.

---

Najważniejsze publikacje z ostatnich lat

2017

• Polak M.P., Scharoch P., Kudrawiec R., The electronic band structure of Ge1-x Sn x in the full composition range: indirect, direct, and inverted gaps regimes, band offsets, and the Burstein–Moss effect, Phys. D: Appl. Phys. 195103 (2017).

2015

• Polak M.P., Scharoch P., Kudrawiec R., First-principles calculations of bismuth induced changes in the band structure of dilute Ga-V-Bi and In-V-Bi alloys: Chemical trends versus experimental data. Semicond Sci Technol 2015; 30(9).

2013

• Scharoch P., Winiarski M., An efficient method of DFT/LDA band-gap correction. Comput Phys Commun 2013; 184(12):2680-2683.

2009

• Scharoch P., Ab initio study of the temperature-dependent structural properties of Al(110). Phys Rev B Condens Matter Mater Phys 2009; 80(12).

2003

• Scharoch P., Neugebauer J., Scheffler M., Al(111)-(?3×?3)R30: On-top versus substitutional adsorption for Rb and K. Phys Rev B Condens Matter Mater Phys 2003; 68(3):354031-354035.
  

Publikacje w bazie DONA