A A+ A++
A A A A
Wyszukiwanie zaawansowane
Zaloguj się

Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Wyszukiwarka

Wyszukiwanie zaawansowane
Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wyb. Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław
NIP 896-000-58-51
budynek A-1, pok. 234
tel. 71 320 45 53 (sekretariat)

wppt.sekretariat@pwr.edu.pl

dr hab. inż. Łukasz Gelczuk

Email: lukasz.gelczuk@pwr.edu.pl
Jednostka: Wydział Podstawowych Problemów Techniki » Katedra Inżynierii Materiałów Półprzewodnikowych

ul. Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław

bud. A-1, pok. 203f

Konsultacje (sem. zimowy, 2024/25):

  • wtorek 13:00-15:00
  • czwartek 12:00-13:00

Zainteresowania naukowe

  • Defekty w półprzewodnikach; spektroskopia głębokich poziomów (DLTS); strukturalne, elektyczne i optyczne własności półprzewodników; związki III-V, IV-IV; kryształy van der Waalsa; perowskity.

Najważniejsze publikacje z ostatnich lat:

Publikacje w bazie DONA

ORCID

 



Wybrane publikacje
1
Artykuł
2026
Konrad Król Magdalena Tamulewicz-Szwajkowska Adrianna M Piejko Jan K Kopaczek Łukasz Gelczuk Jarosław Serafińczuk
Effect of temperature on the optoelectrical properties of photodetectors based on Mo(SXSe1–X)2 alloys. ACS Applied Electronic Materials. 2026, vol. 8, nr 1, s. 63-72. ISSN: 2637-6113
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
2
Artykuł
2024
Mateusz Gramala, Andrzej Sikora Aleksandra Chudzyńska, Łukasz Gelczuk Filip Dybała Paweł Modrzyński Robert Kudrawiec
Highly conductive paths in diamond and their application in high pressure measurements. ACS Applied Materials and Interfaces. 2024, vol. 16, nr 43, s. 59528-59535. ISSN: 1944-8244; 1944-8252
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
3
Artykuł
2024
Łukasz Gelczuk Jan K Kopaczek Damian Pucicki Robert D Richards, Robert Kudrawiec
Effects of rapid thermal annealing on deep-level defects and optical properties of n-type GaAsBi alloys grown by molecular beam epitaxy at low temperature. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024, vol. 169, art. 107888, s. 1-10. ISSN: 1369-8001; 1873-4081
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
4
Artykuł
2022
Jun Young Kim, Łukasz Gelczuk Maciej P Polak Daria Hlushchenko Dane Morgan, Robert Kudrawiec Izabela Szlufarska,
Experimental and theoretical studies of native deep-level defects in transition metal dichalcogenides. npj 2D Materials and Applications. 2022, vol. 6, art. 75, s. 1-11. ISSN: 2397-7132
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
5
Artykuł
2020
Łukasz Gelczuk Jan K Kopaczek Paweł Scharoch Katarzyna Komorowska Mark Blei, Sefaattin Tongay, Robert Kudrawiec
Probing defects in MoS2 van der Waals crystal through deep‐level transient spectroscopy. Physica Status Solidi-Rapid Research Letters. 2020, vol. 14, nr 12, art. 2000381, s. 1-6. ISSN: 1862-6254; 1862-6270
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
6
Artykuł
2020
Łukasz Gelczuk Maria Dąbrowska-Szata Vladimir Kolkovsky, Mariusz Sochacki, Jan Szmidt, Teodor Gotszalk
Origin and anomalous behavior of dominant defects in 4H-SiC studied by conventional and Laplace deep level transient spectroscopy. Journal of Applied Physics. 2020, vol. 127, nr 6, art. 064503, s. 1-6. ISSN: 0021-8979; 1089-7550
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
7
Artykuł
2017
Łukasz Gelczuk Jan K Kopaczek Robert D Richards, Robert Kudrawiec
Deep-level defects in n-type GaAsBi alloys grown by molecular beam epitaxy at low temperature and their influence on optical properties. Scientific Reports. 2017, vol. 7, art. 12824, s. 1-11. ISSN: 2045-2322
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
8
Artykuł
2017
Łukasz Gelczuk Grzegorz Jóźwiak Magdalena Moczała, Piotr Dłużewski, Maria Dąbrowska-Szata Teodor Gotszalk
Strain relaxation induced surface morphology of heterogeneous GaInNAs layers grown on GaAs substrate. Journal of Crystal Growth. 2017, vol. 470, s. 108-112. ISSN: 0022-0248
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
9
Artykuł
2016
Łukasz Gelczuk Maria Dąbrowska-Szata Beata Ściana Damian Pucicki Damian Radziewicz Krzysztof Kopalko, Marek Tłaczała
Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE. Materials Science-Poland. 2016, vol. 34, nr 4, s. 726-734. ISSN: 2083-1331; 2083-134X
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
10
Artykuł
2016
Łukasz Gelczuk Hubert Stokowski, Maria Dąbrowska-Szata Robert Kudrawiec
Origin and annealing of deep-level defects in GaNAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 2016, vol. 119, nr 18, art. 185706, s. 1-8. ISSN: 0021-8979
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW

Wszystkie publikacje pracownika

Politechnika Wrocławska ©