A A+ A++
A A A A

Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wyb. Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław
NIP 896-000-58-51
budynek A-1, pok. 234
tel. 71 320 45 53 (sekretariat)

wppt.sekretariat@pwr.edu.pl

dr inż. Monika Wełna

Email: monika.welna@pwr.edu.pl
Jednostka: Wydział Podstawowych Problemów Techniki » Katedra Inżynierii Materiałów Półprzewodnikowych

Wybrzeże Wyspiańskiego 27, Wrocław
bud. A-1, pok. 203 E

Konsultacje

  • poniedziałek 11.00-13.00
  • środa 13.00-15.00

Zainteresowania naukowe

  • Spektroskopia optyczna; fizyka półprzewodników; półprzewodniki II-VI, ZnO.

Najważniejsze publikacje z ostatnich lat

2017

  • Wełna M., Baranowski M., Linhart W.M., Kudrawiec R., Yu K.M., Mayer M., Walukiewicz W., Multicolor emission from intermediate band semiconductor ZnO1- xSex, Scientific Reports, vol. 7, p. 44214, Mar. 2017

2015

  • Jaquez M., Yu K.M., Ting M., Hettick M., Sánchez-Royo J.F., Wełna M., Javey A., Dubon O.D., Walukiewicz W., Growth and characterization of ZnO1- xSx highly mismatched alloys over the entire composition, J. App. Phys., vol. 118, no. 21, p. 215702, Dec. 2015.
  • Wełna M., Kudrawiec R., Nabetani Y., Tanaka T., Jaquez M., Dubon O.D., Yu K.M., Walukiewicz W., Effects of semiconductor matrix on the band anticrossing in dilute group II-VI oxides, Semiconductor Science and Technology, vol. 30, no. 8, p. 085018. Jul. 2015.

2014

  • Wełna M., Kudrawiec R., Nabetani Y., Walukiewicz W., Band anticrossing in ZnOSe highly mismatched alloy, Appl. Phys. Express, vol. 7, no. 7, p. 071202, Jul. 2014.

2013

  • Wełna M., Kudrawiec R., Kaminska A., Kozanecki A., Laumer B., Eickhoff M., Misiewicz J., Contactless electroreflectance studies of free exciton binding energy in Zn1-xMgxO epilayers, Appl. Phys. Lett., vol. 103, no. 25, p. 251908, Dec. 2013.

Publikacje w bazie DONA


Wybrane publikacje
1
Artykuł
2025
Monika Wełna Jan K Kopaczek Łukasz Przypis Rafał Bartoszewicz Barbara Wilk, Artur P Herman Robert Kudrawiec
Piezoreflectance: a sensitive method for studying optical and phase transitions in metal halide films. APL Materials. 2025, vol. 13, nr 7, art. 071126, s. 1-10. ISSN: 2166-532X; 2166-532X
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
2
Referat konferencyjny
2025
Wojciech Dawidowski Jaroslav Bruncko, Andrej Vincze, Wojciech Kijaszek Monika Wełna Bartłomiej Staszak, Damian Radziewicz Beata Ściana
Electro-optical characterization of transparent indium doped ZnO thin films. W: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 15-18, 2025 / eds. D. Jandura, I. Lettrichova. [B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2025]. s. 35-38. ISBN: 978-80-554-2208-4
Zasoby:URL
3
Artykuł
2025
Zbigniew Starowicz, Wojciech Dawidowski Jakub Ostapko, Mateusz Wlazło, Grzegorz Putynkowski, Maciej Jakub Szczerba, Janusz Woźny, Monika Wełna Katarzyna Gawlińska-Nęcek, Piotr Panek,
Effects of thickness and deposition temperature of ALD ZnO thin films on the improvement of electrical properties through dedicated low temperature annealing post-processing. Materials Science and Engineering. B, Advanced Functional Solid-State Materials. 2025, vol. 321, art. 118468, s. 1-13. ISSN: 0921-5107; 1873-4944
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
4
Artykuł
2022
Paulina Ciechanowicz, Sandeep Gorantla, Monika Wełna Agnieszka T Pieniążek Jarosław Serafińczuk Bogdan J Kowalski, Robert Kudrawiec Detlef Hommel,
Role of temperature in arsenic-induced antisurfactant growth of GaN microrods. ACS Omega. 2022, vol. 7, nr 28, s. 24777-24784. ISSN: 2470-1343
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
5
Artykuł
2022
Monika Wełna Karolina Żelazna, Antoine Letoublon, Charles Cornet, Łukasz K Janicki Marcin S Zielinski, Robert Kudrawiec
Radiative and nonradiative recombination processes in GaNP(As) alloys. Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. 2022, vol. 276, art. 115567, s. 1-9. ISSN: 0921-5107; 1873-4944
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
6
Artykuł
2019
Monika Wełna Łukasz K Janicki Wojciech M Linhart Tooru Tanaka, Kin Man Yu, Robert Kudrawiec Wladek Walukiewicz,
Effects of the host conduction band energy on the electronic band structure of ZnCdTeO dilute oxide alloys. Journal of Applied Physics. 2019, vol. 126, nr 8, art. 083106, s. 1-9. ISSN: 0021-8979; 1089-7550
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
7
Artykuł
2019
Monika Wełna Michał Baranowski Robert Kudrawiec
Study of delocalized and localized states in ZnSeO layers with photoluminescence, micro-photoluminescence and time-resolved photoluminescence. Journal of Applied Physics. 2019, vol. 125, nr 20, art. 205702, s. 1-9. ISSN: 0021-8979; 1089-7550
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
8
Artykuł
2019
Monika Wełna Karolina Żelazna, Antoine Letoublon, Charles Cornet, Robert Kudrawiec
Stability of the intermediate band energy position upon temperature changes in GaNP and GaNPAs. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2019, vol. 196, s. 131-137. ISSN: 0927-0248; 1879-3398
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
9
Artykuł
2018
Michał Baranowski Łukasz K Janicki Marta Gładysiewicz-Kudrawiec Monika Wełna Magdalena Latkowska-Baranowska Jan Misiewicz Łucja Marona, Dario Schiavon, Piotr Perlin, Robert Kudrawiec
Direct evidence of photoluminescence broadening enhancement by local electric field fluctuations in polar InGaN/GaN quantum wells. Japanese Journal of Applied Physics. 2018, vol. 57, nr 2, art. 020305, s. 1-4. ISSN: 0021-4922
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
10
Artykuł
2017
Monika Wełna Michał Baranowski Wojciech M Linhart Robert Kudrawiec Kin Man Yu, M Mayer, Wladek Walukiewicz,
Multicolor emission from intermediate band semiconductor ZnO1-xSex. Scientific Reports. 2017, vol. 7, art. 44214, s. 1-6. ISSN: 2045-2322
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access

Wszystkie publikacje pracownika

Politechnika Wrocławska ©